LED epitaxial film growth is the basic principle: add LED epitaxial wafers at a thermal temperature of the substrate to a suitable substrate (mainly sapphire and, SiC, Si), the gaseous substances controlled InGaAlP transported to the substrate surface, the growth of the specific single-crystal films. LED epitaxial wafer growth techniques currently used mainly metal organic chemical vapor deposition method. ادى النمو الفوقي الفيلم هو المبدأ الأساسي : إضافة رقائق الصمام الفوقي الحرارية عند درجة حرارة الركيزة لركيزة مناسبة (الياقوت أساسا ، وكربيد ، سي) ، ونقل المواد الغازية تسيطر InGaAlP إلى السطح الركيزة ، ونمو محددة واحدة من الكريستال الأفلام. LED الفوقي التقنيات المستخدمة حاليا رقاقة النمو أساسا المعادن العضوية ترسيب الأبخرة الكيميائية الأسلوب.
LED wafer substrate material is a semiconductor lighting industrial technology development the cornerstone. Different substrate materials require different growth techniques LED epitaxial wafers, chip processing technology and device packaging technology, LED substrate material determines the line of semiconductor lighting technology. الصمام المواد الركيزة رقاقة أشباه الموصلات هي التكنولوجيا الصناعية الإضاءة التنمية حجر الزاوية. الركيزة المواد المختلفة تتطلب تقنيات النمو المختلفة رقائق الصمام الفوقي ، ورقاقة تكنولوجيا التصنيع وتكنولوجيا جهاز التعبئة والتغليف والمواد الركيزة LED يحدد خط تقنية الإضاءة أشباه الموصلات.
LED wafer substrate material selection features: الصمام ميزات الركيزة المادية رقاقة الاختيار :
1, structural characteristics, and epitaxial materials and substrates of the same or similar crystal structure, lattice constant mismatch is small, good crystallinity, defect density 1 ، والخصائص الهيكلية ، ومواد الفوقي وركائز للهيكل الكريستال نفس أو ما شابه ذلك ، عدم تطابق مستمر شعرية صغيرة ، crystallinity جيدة ، وكثافة عيب
2, interface characteristics, and is conducive to the nucleation and epitaxial materials and strong adhesion 2 خصائص واجهة ، وتفضي إلى التنوي ومواد الفوقي والتصاق قوي
3, chemical stability, in the epitaxial growth temperature and atmosphere, do not break down and corrosion 3 والكيميائية الاستقرار والنمو في درجة حرارة الغلاف الجوي والفوقي ، لا يتكسر والتآكل
4, thermal properties, including good thermal conductivity and thermal mismatch of the small 4 ، والخصائص الحرارية ، بما في ذلك التوصيل الحراري الجيد وعدم تطابق الحرارية الصغيرة
5, good conductivity, can be made into the upper and lower structures ويمكن إجراء 5 ، الموصلية الجيدة ، في الهياكل العلوية والسفلية
6, optical performance, the production of the light emitted by the device substrate absorb the 6 ، والأداء البصري ، وإنتاج الضوء المنبعث من جهاز امتصاص الركيزة
7, good mechanical properties, easy processing devices, including thinning, polishing and cutting, etc. 7 ، خصائص ميكانيكية جيدة ، وأجهزة معالجة سهلة ، بما في ذلك التخفيف ، وتلميع والقطع ، الخ.
8, low prices. 8 ، وانخفاض الأسعار.
9, large size, the general requirements of not less than 2 inches in diameter. 9 ، الحجم الكبير ، والمتطلبات العامة لأقل من 2 بوصة وليس في القطر.
10, easy to get regular shape substrate (unless there are other special requirements), and extension of facilities similar to the substrate hole tray was not easy to form irregular shaped vortex that affect the epitaxial quality. كان 10 ، وسهلة للحصول على شكل الركيزة العادية (إلا إذا كانت هناك متطلبات خاصة أخرى) ، وتمديد تسهيلات مماثلة لدرج الركيزة ثقب ليس من السهل شكل دوامة شكل غير النظامية التي تؤثر على نوعية الفوقي.
11, without affecting the extension of the premise of quality, LED substrate machinability as the follow-up chip and package to meet the processing requirements. الصمام 11 ، دون أن يؤثر ذلك على تمديد فرضية الجودة ، كما machinability الركيزة الشريحة المتابعة وحزمة لتلبية متطلبات المعالجة.
The choice of substrate to meet the above eleven is a very difficult. Thus, the present can only be changed through the epitaxial growth technology and device processing adjustments to adapt to different substrates of semiconductor light emitting device LED R & D and production. اختيار الركيزة لمواجهة الأحد عشر أعلاه هو صعب للغاية ، وبالتالي ، لا يمكن إلا أن يكون تغيير الحاضر من خلال التكنولوجيا النمو الفوقي والتسويات تجهيز الجهاز للتكيف مع ركائز مختلفة من الضوء ينبعث منها أشباه الموصلات الجهاز LED البحث والتطوير والإنتاج.
LED epitaxial wafer technology رقاقة تكنولوجيا LED الفوقي
Substrate>> structure DESIGN "> buffer layer growth>> N-type GaN layer growth>> multiple quantum well light-emitting layer growth>> P-type GaN layer growth>> annealing>> test (ray fluorescence, X-ray)>> extension pieces الركيزة>> تصميم الهيكل "> نمو طبقة عازلة>> طبقة N - غان نوع النمو>> متعددة الكم جيدا التي ينبعث منها ضوء نمو طبقة>> طبقة غان ف نوع النمو>> الصلب>> اختبار (السينية مضان ، والأشعة السينية) >> تمديد قطعة
Wafer>> design, processing, mask>> Lithography>> ion etching>> N-type electrode (coating, annealing, etching)>> P-type electrode (coating, annealing, etching)>> Dicing >> chip sorting, grading رقاقة>> تصميم وتجهيز وقناع>> الطباعة الحجرية> النقش ايون>>> N - نوع إلكترود (طلاء ، الصلب ، النقش)>> ف نوع إلكترود (طلاء ، الصلب ، النقش)>> التكعيب>> الفرز رقاقة ، الدرجات
تصنيف الصحافة
